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BT151X-650R,127

更新时间： 2024-02-07 04:48:12

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恩智浦 - NXP		局域网栅栅极
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11页	62K
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BT151X-650R

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BT151X-650R,127 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	6.97
外壳连接：	ISOLATED	标称电路换相断开时间：	70 µs
配置：	SINGLE	关态电压最小值的临界上升速率：	50 V/us
最大直流栅极触发电流：	15 mA	最大直流栅极触发电压：	1.5 V
最大维持电流：	20 mA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	最大漏电流：	0.5 mA
通态非重复峰值电流：	132 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最大通态电流：	7500 A
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	9 A
断态重复峰值电压：	650 V	重复峰值反向电压：	650 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

BT151X-650R,127 数据手册

BT151X series

Thyristors

Rev. 04 — 9 June 2004

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

Passivated thyristors in a SOT186A full pack plastic package.

1.2 Features

■ High thermal cycling performance

■ High bidirectional blocking voltage

capability

■ Isolated mounting base.

1.3 Applications

■ Motor control

■ Industrial and domestic lighting, heating

and static switching.

1.4 Quick reference data

■ V_DRM, V_RRM≤ 800 V (BT151X-800)

■ V_DRM, V_RRM≤ 650 V (BT151X-650)

■ V_DRM, V_RRM≤ 500 V (BT151X-500)

■ I_T(RMS)≤ 12 A

■ I_T(AV)≤ 7.5 A

■ I_TSM≤ 120 A.

2. Pinning information

Table 1:

Discrete pinning

Description

cathode (k)

Simpliﬁed outline

Symbol

anode (a)

gate (g)

sym037

mounting base; isolated

2 3

SOT186A (TO-220)

12 3 4 5 6 7...11

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