BT152-500RT

更新时间： 2024-02-29 10:59:47

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恩智浦 - NXP		栅极触发装置可控硅整流器局域网
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描述
SCR, 20 A, 32 mA, 500 V, SOT78

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BT152-500RT 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.72	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	32 mA	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	20 A
断态重复峰值电压：	500 V	重复峰值反向电压：	500 V
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

BT152-500RT 数据手册

BT152-500RT

SCR, 20 A, 32 mA, 500 V, SOT78

Rev. 01 — 12 May 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Planar passivated SCR (Silicon Controlled Rectifier) in a SOT78 plastic package

1.2 Features and benefits

High reliability

High thermal cycling performance

Very high surge capability

High temperature capable

1.3 Applications

Ignition circuits

Motor control

Protection circuits

Static switching

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ

Max Unit

V_DRM

V_RRM

I_T(AV)

repetitive peak

off-state voltage

500

repetitive peak

reverse voltage

average on-state

current

half sine wave;

T_mb≤ 122 °C; see Figure 3

I_T(RMS)

RMS on-state

current

half sine wave; all

conduction angles; see

Figure 1; see Figure 2

I_TSM

non-repetitive peak

on-state current

half sine wave; t_p= 8.3 ms;

T_j(init)= 25 °C

220

200

half sine wave; t_p= 10 ms;

T_j(init)= 25 °C; see Figure 4;

see Figure 5

Static characteristics

I_GTgate trigger current

V_D= 12 V; T_j= 25 °C;

I_T= 100 mA; see Figure 8

12 3 4 5 6 7...11

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