BT139-800

更新时间： 2024-01-16 21:51:58

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恩智浦 - NXP		可控硅
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6页	42K
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Triacs

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BT139-800 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	换向电压的临界上升率-最小值：	10 V/us
关态电压最小值的临界上升速率：	100 V/us	最大直流栅极触发电流：	100 mA
最大直流栅极触发电压：	2.3 V	最大维持电流：	60 mA
JESD-609代码：	e0	最大漏电流：	0.5 mA
最大通态电压：	1.5 V	最高工作温度：	125 °C
最大均方根通态电流：	16 A	断态重复峰值电压：	800 V
子类别：	TRIACs	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	触发设备类型：	TRIAC
Base Number Matches：	1

BT139-800 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Triacs

BT139 series

IGT(Tj)

IGT(25 C)

BT139

typ

IT / A

BT139

Tj = 125 C

Tj = 25 C

T2+ G+

T2+ G-

T2- G-

T2- G+

max

2.5

Vo = 1.195 V

Rs = 0.018 Ohms

1.5

0.5

1.5

VT / V

2.5

-50

100

150

Tj / C

Fig.7. Normalised gate trigger current

I_GT(T_j)/ I_GT(25˚C), versus junction temperature T_j.

Fig.10. Typical and maximum on-state characteristic.

IL(Tj)

IL(25 C)

BT139

Zth j-mb (K/W)

TRIAC

2.5

unidirectional

bidirectional

0.1

1.5

0.01

0.001

0.5

10us

0.1ms

1ms

10ms

tp / s

0.1s

10s

-50

Tj / C

100

150

Fig.8. Normalised latching current I_L(T_j)/ I_L(25˚C),

versus junction temperature T_j.

Fig.11. Transient thermal impedance Z_{th j-mb}, versus

pulse width t_p.

dV/dt (V/us)

1000

IH(Tj)

IH(25C)

TRIAC

off-state dV/dt limit

BT139...G SERIES

2.5

BT139 SERIES

100

BT139...F SERIES

1.5

dIcom/dt =

20 A/ms

9.3 7.2 5.6

0.5

-50

Tj / C

100

150

100

150

Tj / C

Fig.9. Normalised holding current I_H(T_j)/ I_H(25˚C),

versus junction temperature T_j.

Fig.12. Typical commutation dV/dt versus junction

temperature, parameter commutation dI_T/dt. The triac

should commutate when the dV/dt is below the value

on the appropriate curve for pre-commutation dI_T/dt.

September 1997

Rev 1.200

1 2 345 6

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