BT139-800

更新时间： 2024-02-12 03:41:47

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恩智浦 - NXP		可控硅
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6页	42K
描述
Triacs

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BT139-800 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	换向电压的临界上升率-最小值：	10 V/us
关态电压最小值的临界上升速率：	100 V/us	最大直流栅极触发电流：	100 mA
最大直流栅极触发电压：	2.3 V	最大维持电流：	60 mA
JESD-609代码：	e0	最大漏电流：	0.5 mA
最大通态电压：	1.5 V	最高工作温度：	125 °C
最大均方根通态电流：	16 A	断态重复峰值电压：	800 V
子类别：	TRIACs	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	触发设备类型：	TRIAC
Base Number Matches：	1

BT139-800 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Triacs

BT139 series

THERMAL RESISTANCES

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN. TYP. MAX. UNIT

R_{th j-mb}

Thermal resistance

full cycle

1.2

1.7

K/W

junction to mounting base half cycle

R_{th j-a}

Thermal resistance

junction to ambient

in free air

STATIC CHARACTERISTICS

T_j= 25 ˚C unless otherwise stated

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN. TYP.

MAX.

...F

UNIT

BT139-

V_D= 12 V; I_T= 0.1 A

...

...G

I_GT

Gate trigger current

Latching current

Holding current

T2+ G+

T2+ G-

T2- G-

T2- G+

100

I_L

V_D= 12 V; I_GT= 0.1 A

T2+ G+

T2+ G-

T2- G-

T2- G+

I_H

V_D= 12 V; I_GT= 0.1 A

V_T

On-state voltage

I_T= 20 A

1.2

0.7

0.4

1.6

1.5

V_GT

Gate trigger voltage

V_D= 12 V; I_T= 0.1 A

V_D= 400 V; I_T= 0.1 A;

T_j= 125 ˚C

0.25

I_D

Off-state leakage current V_D= V_DRM(max)

;

0.1

0.5

T_j= 125 ˚C

DYNAMIC CHARACTERISTICS

T_j= 25 ˚C unless otherwise stated

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

TYP. MAX. UNIT

BT139-

V_DM= 67% V_DRM(max)

...

...F

...G

dV_D/dt

dV_com/dt

t_gt

Critical rate of rise of

off-state voltage

;

100

200

250

V/µs

µs

T_j= 125 ˚C; exponential

waveform; gate open

circuit

Critical rate of change of

commutating voltage

V_DM= 400 V; T_j= 95 ˚C;

I_T(RMS)= 16 A;

dI_com/dt = 7.2 A/ms; gate

open circuit

Gate controlled turn-on

time

I_TM= 20 A; V_D= V_DRM(max);

I_G= 0.1 A; dI_G/dt = 5 A/µs

September 1997

Rev 1.200

123 4 5 6

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BT139-800 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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