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Datasheet > 触发装置 > TRIAC> BT139-800G
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BT139-800G

更新时间： 2024-09-24 22:25:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 触发装置可控硅三端双向交流开关局域网
页数 文件大小 规格书
6页 42K
描述
Triacs

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BT139-800G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：PLASTIC, SC-46, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：7.42Is Samacsys：N
其他特性：SENSITIVE GATE外壳连接：MAIN TERMINAL 2
配置：SINGLE换向电压的临界上升率-最小值：10 V/us
关态电压最小值的临界上升速率：200 V/us最大直流栅极触发电流：50 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 V最大维持电流：60 mA
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大漏电流：0.5 mA
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：16 A重复峰值关态漏电流最大值：500 µA
断态重复峰值电压：800 V子类别：TRIACs
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：1

BT139-800G 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Triacs  
BT139 series  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Glass passivated triacs in a plastic  
envelope, intended for use in  
SYMBOL PARAMETER  
MAX. MAX. MAX. UNIT  
applications  
requiring  
high  
BT139-  
500  
600  
800  
bidirectional transient and blocking  
voltage capability and high thermal  
BT139- 500F 600F 800F  
BT139- 500G 600G 800G  
cycling  
performance.  
Typical  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
500  
600  
800  
V
applications include motor control,  
industrial and domestic lighting,  
heating and static switching.  
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak on-state  
current  
16  
140  
16  
140  
16  
140  
A
A
PINNING - TO220AB  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
main terminal 1  
tab  
T2  
T1  
2
main terminal 2  
gate  
3
G
1 2 3  
tab main terminal 2  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
-500  
-600  
-800  
800  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
-
-
5001  
6001  
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak  
on-state current  
full sine wave; Tmb ≤ 99 ˚C  
full sine wave; Tj = 25 ˚C prior to  
surge  
16  
A
t = 20 ms  
-
-
-
140  
150  
98  
A
A
t = 16.7 ms  
I2t  
dIT/dt  
I2t for fusing  
Repetitive rate of rise of  
on-state current after  
triggering  
t = 10 ms  
A2s  
ITM = 20 A; IG = 0.2 A;  
dIG/dt = 0.2 A/µs  
T2+ G+  
-
50  
50  
50  
10  
2
5
5
0.5  
150  
125  
A/µs  
A/µs  
A/µs  
A/µs  
A
T2+ G-  
-
T2- G-  
-
T2- G+  
-
IGM  
Peak gate current  
Peak gate voltage  
Peak gate power  
Average gate power  
Storage temperature  
Operating junction  
temperature  
-
VGM  
PGM  
PG(AV)  
Tstg  
Tj  
-
V
-
-
W
over any 20 ms period  
W
-40  
-
˚C  
˚C  
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may  
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15 A/µs.  
September 1997  
1
Rev 1.200  
123456

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BT139-800G 替代型号

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