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BSS84W

更新时间： 2024-03-03 10:11:02
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扬杰 - YANGJIE /
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描述
SOT-323

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BSS84W 数据手册

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BSS84W  
2.5  
2
100  
10  
1
Vgs= -10V  
ID= -0.15A  
Ciss  
1.5  
1
Coss  
Crss  
Tj= 25℃  
0.5  
-75  
-25  
25  
75  
125  
175  
0
20  
40  
60  
Tj-Junction Temperature (℃)  
-VDS-Drain to Source Voltage (V)  
Figure7. Capacitance Characteristics  
Figure8. Normalized On-Resistance  
4 / 6  
S-E085  
Rev3.3,09-Jan-24  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
www.21yangjie.com  
123456

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与BSS84W相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BSS84W (新产品) ROHM BSS84W采用SOT-323封装，内置有单极Pch -60V -0.21A MOSFET

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BSS84W_1 DIODES P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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BSS84W_15 DIODES P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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BSS84W_2 DIODES P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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BSS84W-7 DIODES Small Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

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BSS84W-7-F DIODES P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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