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BSS87

更新时间: 2024-02-07 00:08:39
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 58K
描述
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

BSS87 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT-89
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.1外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (ID):0.4 A最大漏源导通电阻:3 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):15 pF
JEDEC-95代码:TO-243JESD-30 代码:R-PSSO-F3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BSS87 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BSS87  
N-channel enhancement mode  
vertical D-MOS transistor  
April 1995  
Product specification  
File under Discrete Semiconductors, SC13b  

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BSS87,115 NXP BSS87 - 200 V, N-channel vertical D-MOS transistor SOT-89 3-Pin

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