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BSS215PH6327

更新时间： 2024-11-07 21:16:19

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	177K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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BSS215PH6327 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.28	其他特性：	AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.5 A	最大漏极电流 (ID)：	1.5 A
最大漏源导通电阻：	0.15 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	128 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BSS215PH6327 数据手册

BSS215P

OptiMOS™ P2 Small-Signal-Transistor

Features

Product Summary

V _DS

-20

150

280

-1.5

• P-channel

R _DS(on),max

V _GS=-4.5 V

V _GS=-2.5 V

mΩ

• Enhancement mode

• Super Logic Level (2.5V rated)

I _D

• Avalanche rated

PG-SOT23

• Qualified according to AEC Q101

• 100% lead-free; RoHS compliant

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

Package

Tape and Reel Information

Marking

Lead Free

Packing

BSS215P

PG-SOT23 H6327: 3000 pcs/ reel

YDs

Yes

Non dry

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _A=25 °C

T _A=70 °C

T _A=25 °C

Continuous drain current

-1.5

-1.18

-6

I _D,pulse

Pulsed drain current

E _AS

I _D=-1.5 A, R _GS=25 Ω

I _D=-1.5 A,

Avalanche energy, single pulse

_DS=-16V,

di /dt =-200A/µs,

_j,max=150 °C

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

V _GS

Gate source voltage

±12

Power dissipation¹⁾

P _tot

T _A=25 °C

0.5

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

ESD Class

-55 ... 150

0 (<250V)

260 °C

JESD22-A114 -HBM

Soldering Temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

°C

55/150/56

Rev 2.3

page 1

2011-07-08

12 3 4 5 6 7...9

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BSS215PH6327 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDN308P	ONSEMI	类似代替	P 沟道，2.5V 指定，PowerTrench™ MOSFET，-20V，-1.5A，1
DMP2240UW-7	DIODES	功能相似	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
FDN308P	FAIRCHILD	功能相似	P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

与BSS215PH6327相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSS215PH6327XTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
BSS223PW	INFINEON	获取价格	OptiMOS -P Small-Signal-Transistor
BSS223PW_06	INFINEON	获取价格	OptiMOS-P Small-Signal-Transistor
BSS223PWH6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.39A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
BSS223PWH6327XT	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.39A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
BSS223PWH6327XTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.39A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
BSS223PWL6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.39A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
BSS225	INFINEON	获取价格	SIPMOS㈢ Small-Signal-Transistor
BSS225_11	INFINEON	获取价格	SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSS225E6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.09A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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