5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.19 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 45 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSS296E-6288 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| BSS296E6296 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| BSS297 | SIEMENS |
获取价格 |
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level) |
|
| BSS297E6288 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.48A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSS297E6325 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.48A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| BSS306N | TYSEMI |
获取价格 |
OptiMOS2 Small-Signal-Transistor Avalanche rated Qualified according to AEC Q101 |
|
| BSS306N | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™2 Small-Signal-Transistor |
|
| BSS306NH6327XTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| BSS306NL6327 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| BSS308PE | TYSEMI |
获取价格 |
OptiMOS P3 Small-Signal-Transistor Enhancement mode ESD protected |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
