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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SC-62, TO-243, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.12 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-243AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | IEC-60134 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSR33,115 | NXP |
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BSR33 - 80 V, 1 A PNP medium power transistor SOT-89 3-Pin |
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| BSR33/T3 | NXP |
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TRANSISTOR 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BSR33Q | DIODES |
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PNP, 80V, 1A, SOT89 |
|
| BSR33-Q | NEXPERIA |
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80 V, 1 A PNP medium power transistorProduction |
|
| BSR33-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SOT-89, 3 PIN, BIP General Pur |
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| BSR33T/R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
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| BSR33TA | ZETEX |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BSR33-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
|
| BSR33-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
|
| BSR33TC | ZETEX |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-89, 3 |
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