BSR33TA

更新时间： 2024-11-26 13:02:03

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捷特科 - ZETEX		晶体小信号双极晶体管开关局域网
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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BSR33TA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.15	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	基于收集器的最大容量：	20 pF
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	最大关闭时间（toff）：	650 ns
最大开启时间（吨）：	500 ns	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

BSR33TA 数据手册

SOT89 PNP SILICON PLANAR

BSR31

BSR33

MEDIUM POWER TRANSISTORS

ISSUE 3 – FEBRUARY 1996

COMPLEMENTARY TYPE –

PARTMARKING DETAILS –

BSR31 – BSR41

BSR33 – BSR43

BSR31 – BR2

BSR33 – BR4

SOT89

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

BSR31

-70

BSR33

-90

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Em itter Voltage

-60

-80

Em itter-Base Voltage

-5

-2

-1

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_{am b}=25°C

Operating and Storage Tem perature Range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

I_C

P_TOT

T_j:T_stg

°C

-65 to +150

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

SYMBOL MIN.

MAX.

UNIT

CONDITIONS.

Collector-Base

Breakdown Voltage BSR33

BSR31 V_(BR)CBO

-70

-90

I_C=-100µA

Collector-Em itter

Breakdown Voltage BSR33

BSR31 V_(BR)CEO

-60

-80

I_C=-10m A

Em itter-Base

Breakdown Voltage

V_(BR)EBO

I_CBO

-5

I_E=-10m A

Collector Cut-Off Current

-100

-50

µA

V_CB=-60V

_CB=-60V, T_{am b}=125°C

I_C=-150m A, I_B=-15m A*

_C=-500m A, I_B=-50m A*

I_C=-150m A, I_B=-15m A*

_C=-500m A, I_B=-50m A*

_C=-100µA, V_CE=-5V*

_C=-100m A, V_CE=-5V*

_C=-500m A, V_CE=-5V*

Collector-Em itter Saturation V_CE(sat)

Voltage

-0.25

-0.5

Base-Em itter

V_BE(sat)

-1.0

-1.2

Saturation Voltage

Static Forward Current

Transfer Ratio

h_FE

100

300

Collector Capacitance

Em itter Capacitance

Transition Frequency

C_c

C_e

f_T

V_CB=-10V, f =1MHz

V_EB=-0.5V, f =1MHz

120

100

MHz

I_C=-50m A, V_CE=-10V

f =35MHz

Turn-On Tim e

Turn-Off Tim e

T_on

T_off

500

650

V_CC=-20V, I_C=-100m A

I_B1=-I_B2=-5m A

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

Spice param eter data is available upon request for this device

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与BSR33TA相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSR33-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
BSR33-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
BSR33TC	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-89, 3
BSR33-TP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
BSR33-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
BSR33TRL	NXP	获取价格	TRANSISTOR 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
BSR33TRL	YAGEO	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
BSR33TRL13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
BSR39BLACK25M	ETC	获取价格	LITZE VERZINNT 0.5QMM SILIK SCHW 25M
BSR39BLUE25M	ETC	获取价格	LITZE VERZINNT 0.5QMM SILIK BLAU 25M

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