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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.37 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 75 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 40 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP100-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 3.5 A, 30 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP1010TRL | YAGEO |
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Power Field-Effect Transistor, 0.325A I(D), 80V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BSP1010TRL13 | YAGEO |
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Power Field-Effect Transistor, 0.325A I(D), 80V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BSP103 | PHILIPS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| BSP103 | YAGEO |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 35V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BSP103 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 750 mA, 35 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Si |
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| BSP103TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 750 mA, 35 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Si |
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| BSP103TRL | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 35V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BSP103TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 750 mA, 35 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Si |
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| BSP103TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 35V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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