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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.79 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 28 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 10 pF | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 0.35 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 20 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 10 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP107135 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR Si, POWER, FET, FET General Purpose Power |
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| BSP107-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.2 A, 200 V, 28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP107T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.2 A, 200 V, 28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN, |
|
| BSP107-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.2 A, 200 V, 28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BSP107-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.2 A, 200 V, 28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BSP107TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 200 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
|
| BSP107TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 200 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
|
| BSP108 | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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| BSP108135 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 500 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Si |
|
| BSP108-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.5 A, 80 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
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