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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.75 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP107-T | NXP |
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TRANSISTOR 0.2 A, 200 V, 28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP107T/R | NXP |
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TRANSISTOR 0.2 A, 200 V, 28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN, |
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| BSP107-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 0.2 A, 200 V, 28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BSP107-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 0.2 A, 200 V, 28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BSP107TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 200 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
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| BSP107TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 200 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
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| BSP108 | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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| BSP108135 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 500 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Si |
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| BSP108-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.5 A, 80 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP108T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 500MA I(D) | SOT-223 |
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