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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.74 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.425 A | 最大漏源导通电阻： | 4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 10 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP106115 | NXP |
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TRANSISTOR 425 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Si |
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| BSP106135 | NXP |
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TRANSISTOR 425 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Si |
|
| BSP106-T | NXP |
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暂无描述 |
|
| BSP106T/R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 500MA I(D) | SOT-223 |
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| BSP106-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 0.425 A, 60 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BSP106-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 0.425 A, 60 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BSP106TRL | NXP |
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TRANSISTOR 500 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Si |
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| BSP106TRL13 | YAGEO |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BSP106TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 500 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Si |
|
| BSP107 | NXP |
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N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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