是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SOP, SOP32,.56 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 55 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | 长度: | 20.447 mm |
内存密度: | 2097152 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 256KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP32,.56 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.997 mm |
最大待机电流: | 0.000001 A | 最小待机电流: | 1.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.055 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 11.303 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BS62LV2008SIP70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit | |
BS62LV2008STC | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit | |
BS62LV2008STC55 | BSI |
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Standard SRAM, 256KX8, 55ns, CMOS, PDSO32 | |
BS62LV2008STC-55 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit | |
BS62LV2008STC70 | BSI |
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Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PDSO32 | |
BS62LV2008STC-70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit | |
BS62LV2008STCG55 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit | |
BS62LV2008STCG70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit | |
BS62LV2008STCP55 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit | |
BS62LV2008STCP70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit |