是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SOP, SOP32,.56 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 70 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
长度: | 20.447 mm | 内存密度: | 2097152 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 256KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP32,.56 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.997 mm | 最大待机电流: | 0.000001 A |
最小待机电流: | 1.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.045 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 11.303 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BS62LV2008STC | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit | |
BS62LV2008STC55 | BSI |
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Standard SRAM, 256KX8, 55ns, CMOS, PDSO32 | |
BS62LV2008STC-55 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit | |
BS62LV2008STC70 | BSI |
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Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PDSO32 | |
BS62LV2008STC-70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit | |
BS62LV2008STCG55 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit | |
BS62LV2008STCG70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit | |
BS62LV2008STCP55 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit | |
BS62LV2008STCP70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit | |
BS62LV2008STI | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit |