是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | TFBGA, BGA48,6X8,30 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 70 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 |
长度: | 8 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 48 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 64KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装等效代码: | BGA48,6X8,30 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 3/5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最小待机电流: | 1.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.035 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.4 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.75 mm |
端子位置: | BOTTOM | 宽度: | 6 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BS616LV1010ACG75 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit | |
BS616LV1010ACP55 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit | |
BS616LV1010ACP70 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit | |
BS616LV1010ACP75 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit | |
BS616LV1010AI | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit | |
BS616LV1010AI55 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit | |
BS616LV1010AI70 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit | |
BS616LV1010AIG55 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit | |
BS616LV1010AIG70 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit | |
BS616LV1010AIG75 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit |