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BRY62T/R

更新时间: 2024-11-01 13:05:59
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 可控硅开关可控硅开关
页数 文件大小 规格书
12页 70K
描述
Silicon Controlled Switch, SILICON CONTROLLED SWITCH

BRY62T/R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.63外壳连接:ANODE GATE
配置:SINGLE直流发射极电流(NPN)-最大值:0.175 A
直流发射极电流(PNP)-最大值:0.175 A从发射器到基本电压限制(NPN)-最大值:5 V
从发射极到基本电压极限(PNP)-最大值:70 V最大维持电流:1 mA
JESD-30 代码:R-PDSO-G4元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL触发设备类型:SILICON CONTROLLED SWITCH
Base Number Matches:1

BRY62T/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BRY62  
Silicon controlled switch  
Product specification  
1999 Apr 22  
Supersedes data of 1997 Jul 21  

BRY62T/R 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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BS-0041G ETC

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SAFETY SPECS CLEAR UV400
BS0056-24NBR70 ETC

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O RING NITRIL METRISCH INNEN 5.6MM Inhalt pro Packung: 50 Stk.
BS006 ETC

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O RING NITRIL INNEN 1/8ZOLL Inhalt pro Packung: 50 Stk.
BS0060N-2C BENCENT

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Eliminates overvoltage caused by fast rising transients