生命周期: | Active | 包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8541.30.00.80 |
风险等级: | 5.57 | 外壳连接: | ANODE GATE |
配置: | SINGLE | 直流发射极电流(NPN)-最大值: | 0.1 A |
直流发射极电流(PNP)-最大值: | 0.1 A | 最大直流栅极触发电流: | 1 mA |
最大直流栅极触发电压: | 1.2 V | 从发射器到基本电压限制(NPN)-最大值: | 5 V |
从发射极到基本电压极限(PNP)-最大值: | 70 V | 最大维持电流: | 1 mA |
JEDEC-95代码: | TO-72 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W4 |
通态非重复峰值电流: | 0.5 A | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 最大通态电流: | 50 A |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Trigger Devices | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
触发设备类型: | SILICON CONTROLLED SWITCH | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BRY62T/R | NXP |
功能相似 |
Silicon Controlled Switch, SILICON CONTROLLED SWITCH | |
BRY62 | NXP |
功能相似 |
Silicon controlled switch |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NTE2390 | NTE |
获取价格 |
MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch | |
NTE2391 | NTE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
NTE2392 | NTE |
获取价格 |
MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch | |
NTE2393 | NTE |
获取价格 |
MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch | |
NTE2394 | NTE |
获取价格 |
MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch | |
NTE2395 | NTE |
获取价格 |
MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch | |
NTE2396 | NTE |
获取价格 |
MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch | |
NTE2396A | NTE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
NTE2397 | NTE |
获取价格 |
MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch | |
NTE2398 | NTE |
获取价格 |
MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch |