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BRY62

更新时间: 2024-02-11 02:03:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 可控硅开关可控硅开关
页数 文件大小 规格书
12页 70K
描述
Silicon controlled switch

BRY62 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.71
外壳连接:ANODE GATE配置:SINGLE
直流发射极电流(NPN)-最大值:0.175 A直流发射极电流(PNP)-最大值:0.175 A
从发射器到基本电压限制(NPN)-最大值:5 V从发射极到基本电压极限(PNP)-最大值:70 V
最大维持电流:1 mAJESD-30 代码:R-PDSO-G4
元件数量:1端子数量:4
最大通态电流:175 A最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified断态重复峰值电压:70 V
子类别:Other Trigger Devices表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
触发设备类型:SILICON CONTROLLED SWITCHBase Number Matches:1

BRY62 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BRY62  
Silicon controlled switch  
Product specification  
1999 Apr 22  
Supersedes data of 1997 Jul 21  

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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BS0056-24NBR70 ETC

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O RING NITRIL METRISCH INNEN 5.6MM Inhalt pro Packung: 50 Stk.