BR5006W

更新时间： 2024-11-17 22:27:51

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SILICON BRIDGE RECTIFIERS

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BR5006W 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	S-PUFM-W4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最小击穿电压：	600 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.1 V
JESD-30 代码：	S-PUFM-W4	最大非重复峰值正向电流：	400 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	50 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
参考标准：	TS 16949	最大重复峰值反向电压：	600 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

BR5006W 数据手册

ELECTRONICS INDUSTRY (USA) CO., LTD.

103 MOO 4, LATKRABANG EXPORT PROCESSING ZONE, LATKRABANG, BANGKOK 10520, THAILAND

TEL. : (66 2) 326-0102, 739-4580 FAX. : (66 2) 326-0933 E-mail : eicfirst @ iname.com http. : // www.eicsemi.com

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

BR50W

BR5000W - BR5010W

PRV : 50 - 1000 Volts

Io : 50 Amperes

0.732 (18.6)

0.692 (17.5)

FEATURES :

* High current capability

* High surge current capability

* High reliability

1.130 (28.7)

1.120 (28.4)

0.470 (11.9)

0.430 (10.9)

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

* High case dielectric strength

0.21 (5.3)

0.20 (5.1)

MECHANICAL DATA :

0.042 (1.06)

0.038 (0.96)

* Case : Molded plastic with heatsink integrally

mounted in the bridge encapsulation

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Terminals : Plated lead solderable per

MIL-STD-202, Method 208 guaranteed

* Polarity : Polarity symbols marked on case

* Mounting position : Bolt down on heat-sink

with silicone thermal compound between

bridge and mounting surface for maximum

heat transfer efficiency

1.2 (30.5)

MIN.

0.310 (7.87)

0.280(7.11)

Dimensions in inches and ( millimeters )

* Weight : 15.95 grams

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

SYMBOL

BR 5000W

BR 5001W

BR 5002W

BR 5004W

BR 5006W

BR 5008W

BR 5010W

UNIT

RATING

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

VRRM

VRMS

VDC

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

Volts

Maximum DC Blocking Voltage

100

1000

Volts

IF(AV)

Amps.

Maximum Average Forward Current Tc=55°C

Peak Forward Surge Current Single half sine wave

Superimposed on rated load (JEDEC Method)

Current Squared Time at t < 8.3 ms.

IFSM

400

Amps.

I²t

A²S

Volts

664

1.1

Maximum Forward Voltage per Diode at IF = 25 Amps.

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

Ta = 25 °C

IR(H)

200

Ta = 100 °C

Typical Thermal Resistance at Junction to Case ( Note 1 )

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

1.0

°C/W

°C

RqJC

- 40 to + 150

TSTG

°C

Notes :

1 ) Thermal resistance from Junction to Case with units mounted on heat sink.

UPDATE : APRIL 21, 1998

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