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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> BR5010-G
BR5010-G PDF预览

BR5010-G

更新时间： 2024-01-09 05:15:22
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上华 - COMCHIP 整流二极管桥式整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 84K
描述
Silicon Bridge Rectifiers

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BR5010-G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：S-PUFM-W4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.77
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
最小击穿电压：1000 V外壳连接：ISOLATED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JESD-30 代码：S-PUFM-W4最大非重复峰值正向电流：400 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：50 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
参考标准：TS 16949最大重复峰值反向电压：1000 V
子类别：Bridge Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BR5010-G 数据手册

 浏览型号BR5010-G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BR5010-G的Datasheet PDF文件第3页 
Silicon Bridge Rectifiers  
BR10005-G Thru. BR5010-G Series  
Reverse Voltage: 50 to 1000V  
Forward Current: 10/15/25/35/50A  
RoHS Device  
Features  
BR  
METAL HEAT SINK  
-Surge overload -240~500 Amperes peak.  
0.442(11.23)  
0.424(10.77)  
-Low forward voltage drop.  
0.925(23.50)  
0.886(22.50)  
-Electrically isolated base -2000 Volts.  
-Materials used carries U/L recognition.  
-Solderable 0.25" FAST ON terminals.  
0.94  
(2.40)  
diam  
0.035(0.90)  
0.028(0.70)  
0.254(6.45)  
0.242(6.15)  
1.133(28.80)  
1.114(28.30)  
Hole for  
No.8 screw  
193"(4.9)diam  
0.673(17.10)  
0.634(16.10)  
Mechanical Data  
-Polarit:As marked on Body  
-Mounting position:Any  
-Weight: 19.09grams  
0.673(17.10)  
0.634(16.10)  
1.133(28.80)  
1.114(28.30)  
0.732(18.60)  
0.693(17.60)  
0.583(14.80)  
0.543(13.80)  
Dimensions in inches and (millimeter)  
Maximum ratings and electrical characteristics  
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
BR-G  
BR-G  
10005  
15005  
25005  
BR-G  
1001  
1501  
2501  
BR-G  
1002  
1502  
2502  
BR-G  
1006  
1506  
2506  
BR-G  
1008  
1508  
2508  
BR-G  
1010  
1510  
2510  
1004  
1504  
2504  
Symbol  
Parameter  
Unit  
35005  
50005  
3501  
5001  
3502  
5002  
3504  
5004  
3506  
5006  
3508  
5008  
3510  
5010  
Max. Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
V
RRM  
RRM  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
400  
280  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
V
V
V
Symbol  
BR10  
BR15  
15  
BR25  
25  
BR35  
35  
BR50  
Parameter  
Unit  
Maximum Average Forward  
I(AV)  
10  
50  
A
Rectified Output Current @Tc=55°C  
Peak Forward Surage Current ,  
8.3ms Single Half Sine-Wave  
Super Imposed On Rated Load  
Maximum Forward Voltage  
Drop Per Element at  
5.0/7.5/12.5/17.5/25.0A Peak  
I
FSM  
240  
300  
400  
400  
500  
A
V
V
F
1.1  
Maximum Reverse Current at rated  
DC Blocking Voltage Per Element  
μA  
IR  
10.0  
@ TJ=25°C  
Operating Temperature Range  
T
J
-55 to +150  
-55 to +150  
°C  
°C  
Storage Temperature Range  
TSTG  
Company reserves the right to improve product design , functions and reliability without notice.  
QW-BBR78  
REV: A  
Page 1  
Comchip Technology CO., LTD.  
123

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