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Datasheet > 触发装置 > 击穿二极管> BR211SM-160

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BR211SM-160

更新时间： 2024-02-20 20:21:25

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		触发装置二极管击穿二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	34K
描述
Breakover diodes

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BR211SM-160 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.87	最大转折电压：	180 V
JESD-609代码：	e0	最大通态电压：	2.5 V
最高工作温度：	70 °C	子类别：	Silicon Surge Protectors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
触发设备类型：	SILICON SURGE PROTECTOR	Base Number Matches：	1

BR211SM-160 数据手册

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Philips Semiconductors

Preliminary specification

Breakover diodes

BR211SM series

Cj / pF

100

BR211

Zth / (K/W)

1000

100

10

BR211-140

typ

BR211-280

10

t

p

P

1

D

t

0.1

1

0.1s

tp / s

10s

1000s

10us

1ms

1000

1

10

100

VD / V

Fig.9. Typical junction capacitance as a function of

off-state voltage, f = 1 MHz; T_j= 25˚C.

Fig.10. Transient thermal impedance. Z_{th j-a}= f(t_p).

August 1996

4

Rev 1.100

1 2 345 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BR211SM-180	NXP	Breakover diodes	获取价格
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BR211SM-240	NXP	Breakover diodes	获取价格
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