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BR211SM-160

更新时间: 2024-09-22 22:27:51
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 触发装置二极管击穿二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 34K
描述
Breakover diodes

BR211SM-160 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.73最大转折电压:160 V
最小转折电压:140 V配置:SINGLE
标称维持电流:150 mAJESD-30 代码:R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流:40 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:70 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
子类别:Silicon Surge Protectors表面贴装:YES
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
触发设备类型:SYMMETRICAL BODBase Number Matches:1

BR211SM-160 数据手册

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Philips Semiconductors  
Preliminary specification  
Breakover diodes  
BR211SM series  
MECHANICAL DATA  
Dimensions in mm  
Net Mass: 0.2 g  
5.5  
5.1  
4.5  
4.3  
2.3  
2.0  
0.2  
3.3  
2.7  
0.05  
2.8 1.6  
2.4 1.4  
Fig.11. SOD106.  
Notes  
1. For mounting and soldering instructions refer to publication SC18 "SMD Footprint Design and Soldering  
Guidelines". Order code:9397 750 00505.  
August 1996  
5
Rev 1.100  

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