Datasheet > 存储 > SRAM> BQ4014YMB-120

BQ4014YMB-120

更新时间： 2024-01-06 12:43:18

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
11页	765K
描述
256Kx8 Nonvolatile SRAM

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BQ4014YMB-120 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	120 ns	JESD-30 代码：	R-XDMA-T32
JESD-609代码：	e3	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM MODULE	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX8	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	COMMERCIAL	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

BQ4014YMB-120 数据手册

bq4014/bq4014Y

256Kx8 Nonvolatile SRAM

source is switched on to sustain the

Features

➤ Data retention in the absence of

General Description

m em or y u n t il a ft er V_CCr et ur ns

valid.

The CMOS bq4014 is a nonvolatile

2,097,152-bit static RAM organized as

262,144 words by 8 bits. The integral

control circuitry and lithium energy

source provide reliable nonvolatility

coupled with the un limited wr ite

cycles of standard SRAM.

power

Th e bq4014 u ses ext r em ely low

s t a n dby cu r r en t CMOS SRAMs,

cou pled wit h sm a ll lit h iu m coin

cells to provide nonvolatility without

long write-cycle times and the write-

cycle lim it a tion s a ssocia ted with

EEPROM.

➤ Automatic write-protection

during power-up/power-down

cycles

➤ Industry-standard 32-pin 256K x

8 pinout

Th e con tr ol cir cu it r y con s ta n t ly

monitors the single 5V supply for an

out-of-toler an ce condition. When

V_CCfalls out of tolerance, the SRAM

is unconditionally write-protected to

prevent inadvertent write operation.

At t his tim e t he integr a l ener gy

➤ Conventional SRAM operation;

The bq4014 requires no external cir-

cuitr y and is compatible with the

in d u s t r y-s t a n da r d 2Mb SRAM

pinout.

unlimited write cycles

➤ 10-year minimum data retention

in absence of power

➤ Battery internally isolated until

power is applied

Pin Names

Block Diagram

Pin Connections

A₀–A₁₇

Address inputs

DQ₀–DQ₇Data input/output

Chip enable input

Output enable input

Write enable input

No connect

V_CC

V_SS

+5 volt supply input

Ground

Selection Guide

Maximum

Access

Negative

Supply

Maximum

Access

Negative

Supply

Part

Number

Time (ns)

Tolerance

Number

Time (ns)

Tolerance

bq4014 -85

bq4014Y -85

bq4014Y -120

-5%

-10%

bq4014 -120

120

Sept. 1992

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BQ4015MA-120N	TI	获取价格	512Kx8 Nonvolatile SRAM
BQ4015MA-70	TI	获取价格	512Kx8 Nonvolatile SRAM
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