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BQ4014YMB-120

更新时间： 2024-11-10 22:09:23
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 765K
描述
256Kx8 Nonvolatile SRAM

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BQ4014YMB-120 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：MODULE, DIP-32Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.52
Is Samacsys：N最长访问时间：120 ns
JESD-30 代码：R-XDMA-T32内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM MODULE内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：256KX8
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIP
封装等效代码：DIP32,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.005 A
子类别：SRAMs最大压摆率：0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BQ4014YMB-120 数据手册

 浏览型号BQ4014YMB-120的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BQ4014YMB-120的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BQ4014YMB-120的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BQ4014YMB-120的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BQ4014YMB-120的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BQ4014YMB-120的Datasheet PDF文件第7页 
bq4014/bq4014Y  
256Kx8 Nonvolatile SRAM  
source is switched on to sustain the  
Features  
➤ Data retention in the absence of  
General Description  
m em or y u n t il a ft er VCC r et ur ns  
valid.  
The CMOS bq4014 is a nonvolatile  
2,097,152-bit static RAM organized as  
262,144 words by 8 bits. The integral  
control circuitry and lithium energy  
source provide reliable nonvolatility  
coupled with the un limited wr ite  
cycles of standard SRAM.  
power  
Th e bq4014 u ses ext r em ely low  
s t a n dby cu r r en t CMOS SRAMs,  
cou pled wit h sm a ll lit h iu m coin  
cells to provide nonvolatility without  
long write-cycle times and the write-  
cycle lim it a tion s a ssocia ted with  
EEPROM.  
➤ Automatic write-protection  
during power-up/power-down  
cycles  
➤ Industry-standard 32-pin 256K x  
8 pinout  
Th e con tr ol cir cu it r y con s ta n t ly  
monitors the single 5V supply for an  
out-of-toler an ce condition. When  
VCC falls out of tolerance, the SRAM  
is unconditionally write-protected to  
prevent inadvertent write operation.  
At t his tim e t he integr a l ener gy  
➤ Conventional SRAM operation;  
The bq4014 requires no external cir-  
cuitr y and is compatible with the  
in d u s t r y-s t a n da r d 2Mb SRAM  
pinout.  
unlimited write cycles  
➤ 10-year minimum data retention  
in absence of power  
➤ Battery internally isolated until  
power is applied  
Pin Names  
Block Diagram  
Pin Connections  
A0–A17  
Address inputs  
DQ0–DQ7 Data input/output  
CE  
Chip enable input  
Output enable input  
Write enable input  
No connect  
OE  
WE  
NC  
VCC  
VSS  
+5 volt supply input  
Ground  
Selection Guide  
Maximum  
Access  
Negative  
Supply  
Maximum  
Access  
Negative  
Supply  
Part  
Part  
Number  
Time (ns)  
Tolerance  
Number  
Time (ns)  
Tolerance  
bq4014 -85  
bq4014Y -85  
bq4014Y -120  
85  
-5%  
-5%  
85  
-10%  
-10%  
bq4014 -120  
120  
120  
Sept. 1992  
1
1234567...11

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