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BQ4013YMS-85N

更新时间： 2024-12-01 14:49:31

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	348K
描述
128KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 85ns, DMA34, LCC-34

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BQ4013YMS-85N 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DMA
包装说明：	,	针数：	34
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.8
最长访问时间：	85 ns	JESD-30 代码：	R-XDMA-S34
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	34	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	S BEND	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BQ4013YMS-85N 数据手册

Not Recommended For New Designs

bq4013/Y/LY

www.ti.com

SLUS121A–MAY 1999–REVISED MAY 2007

128 k × 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

•

Data Retention for at least 10 Years Without

Power

The CMOS bq4013/Y/LY is

nonvolatile

1,048,576-bit static RAM organized as 131,072

words by 8 bits. The integral control circuitry and

lithium energy source provide reliable nonvolatility

coupled with the unlimited write cycles of standard

SRAM.

Automatic Write-Protection During

Power-up/Power-down Cycles

Conventional SRAM Operation, Including

Unlimited Write Cycles

The control circuitry constantly monitors the single

supply for an out-of-tolerance condition. When V_CC

falls out of tolerance, the SRAM is unconditionally

write-protected to prevent an inadvertent write

operation.

Internal Isolation of Battery before Power

Application

•

5-V or 3.3-V Operation

Industry Standard 32-Pin DIP Pinout

At this time the integral energy source is switched on

to sustain the memory until after V_CCreturns valid.

The bq4013/Y/LY uses extremely low standby

current CMOS SRAMs, coupled with small lithium

coin cells to provide nonvolatility without long

write-cycle times and the write-cycle limitations

associated with EEPROM.

The bq4013/Y/LY requires no external circuitry and is

compatible with the industry-standard 1-Mb SRAM

pinout.

PIN CONNECTIONS

32−Pin DIP Module

(TOP VIEW)

A₁₆

A₁₄

A₁₂

A₇

32 V_CC

A₁₅

A₁₃

A₈

A₆

A₅

A₄

A₉

A₁₁

A₁₀

DQ₇

DQ₆

DQ₅

DQ₄

DQ₃

A₃

A₂

A₁

A₀

DQ₀13

DQ₁

DQ₂

V_SS

Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of Texas

Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.

PRODUCTION DATA information is current as of publication date.

Products conform to specifications per the terms of the Texas

Instruments standard warranty. Production processing does not

necessarily include testing of all parameters.

12 3 4 5 6 7...16

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