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BQ4011MA-150

更新时间： 2024-02-17 06:32:22
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 728K
描述
32Kx8 Nonvolatile SRAM

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BQ4011MA-150 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：,针数：28
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.79
Is Samacsys：N最长访问时间：150 ns
JESD-30 代码：R-XDMA-T28内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM MODULE内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32KX8
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行：PARALLEL
认证状态：Not Qualified最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.75 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：DUALBase Number Matches：1

BQ4011MA-150 数据手册

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bq4011/bq4011Y  
AC Test Conditions  
Parameter  
Test Conditions  
0V to 3.0V  
Input pulse levels  
Input rise and fall times  
5 ns  
Input and output timing reference levels  
Output load (including scope and jig)  
1.5 V (unless otherwise specified)  
See Figures 1 and 2  
Figure 1. Output Load A  
Figure 2. Output Load B  
Read Cycle (T = T  
, V  
≤ V  
≤ V  
)
A
OPR CCmin  
CC  
CCmax  
-70/-70N  
-100  
-150/-150N  
-200  
Min. Max. Min. Max. Min. Max.  
Min. Max.  
Symbol  
Parameter  
Unit  
Conditions  
tRC  
Read cycle time  
70  
-
-
100  
-
150  
-
200  
-
ns  
tAA  
Address access time  
70  
70  
-
-
100  
100  
-
-
150  
150  
-
-
200  
200  
ns  
ns  
Output load A  
Output load A  
tACE  
Chip enable access time  
-
Output enable to  
output valid  
tOE  
-
5
35  
-
-
5
50  
-
-
10  
5
70  
-
-
10  
5
90  
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Output load A  
Output load B  
Output load B  
Output load B  
Output load B  
Output load A  
Chip enable to output  
in low Z  
tCLZ  
tOLZ  
tCHZ  
tOHZ  
tOH  
Output enable to  
output in low Z  
5
-
5
-
-
-
Chip disable to output  
in high Z  
0
25  
25  
-
0
40  
35  
-
0
60  
50  
-
0
70  
70  
-
Output disable to  
output in high Z  
0
0
0
0
Output hold from  
address change  
10  
10  
10  
10  
Aug. 1993 C  
4
1234567...11

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