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BQ4011YMA-70

更新时间： 2024-11-30 22:09:23
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 728K
描述
32Kx8 Nonvolatile SRAM

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BQ4011YMA-70 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.38Is Samacsys：N
最长访问时间：70 nsJESD-30 代码：R-PDMA-P28
长度：37.72 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM MODULE内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：32KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP28,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：9.53 mm
最大待机电流：0.004 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.075 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：PIN/PEG
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：18.415 mm
Base Number Matches：1

BQ4011YMA-70 数据手册

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bq4011/bq4011Y  
32Kx8 Nonvolatile SRAM  
At t his tim e t he integr a l ener gy  
Features  
➤ Data retention in the absence of  
General Description  
source is switched on to sustain the  
memory until after VCC returns valid.  
The CMOS bq4011 is a nonvolatile  
262,144-bit static RAM organized as  
32,768 words by 8 bits. The integral  
control circuitry and lithium energy  
source provide reliable nonvolatility  
coupled with th e unlim ited write  
cycles of standard SRAM.  
power  
The bq4011 uses an extremely low  
s t a n dby cu r r en t CMOS SRAM,  
coupled with a small lithium coin cell  
to provide nonvolatility without long  
write-cycle times and the write-cycle  
limitations associated with EEPROM.  
➤ Automatic write-protection  
during power-up/power-down  
cycles  
➤ Industry-standard 28-pin 32K x  
8 pinout  
Th e con tr ol cir cu it r y con s ta n t ly  
monitors the single 5V supply for an  
ou t -of-t oler a n ce con dit ion . Wh en  
VCC falls out of tolerance, the SRAM  
is unconditionally write-protected to  
prevent inadvertent write operation.  
The bq4011 requires no external cir-  
cuitry and is socket-compatible with  
industry-standard SRAMs and most  
EPROMs and EEPROMs.  
➤ Conventional SRAM operation;  
unlimited write cycles  
➤ 10-year minimum data retention  
in absence of power  
➤ Battery internally isolated until  
power is applied  
Pin Connections  
Pin Names  
Block Diagram  
A0 –A14  
Address inputs  
DQ0–DQ7 Data input/output  
CE  
Chip enable input  
Output enable input  
Write enable input  
+5 volt supply input  
Ground  
OE  
WE  
VCC  
VSS  
Selection Guide  
Maximum  
Access  
Negative  
Supply  
Maximum  
Access  
Negative  
Supply  
Part  
Part  
Number  
Time (ns)  
Tolerance  
Number  
Time (ns)  
Tolerance  
bq4011Y-70  
70  
-10%  
-10%  
-10%  
-10%  
bq4011 -100  
bq4011Y -100  
bq4011Y -150  
bq4011Y -200  
100  
150  
200  
-5%  
-5%  
-5%  
100  
150  
200  
bq4011 -150  
bq4011 -200  
Aug. 1993 C  
1
1234567...11

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BQ4011YMA-70 替代型号

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