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BQ4011MA-70N

更新时间： 2024-02-25 21:27:36
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 静态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 728K
描述
32Kx8 Nonvolatile SRAM

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BQ4011MA-70N 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：PLASTIC, DIP-28Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.38Is Samacsys：N
最长访问时间：70 nsJESD-30 代码：R-PDMA-P28
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：32KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP28,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.004 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.075 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.75 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：PIN/PEG
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BQ4011MA-70N 数据手册

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bq4011/bq4011Y  
32Kx8 Nonvolatile SRAM  
At t his tim e t he integr a l ener gy  
Features  
➤ Data retention in the absence of  
General Description  
source is switched on to sustain the  
memory until after VCC returns valid.  
The CMOS bq4011 is a nonvolatile  
262,144-bit static RAM organized as  
32,768 words by 8 bits. The integral  
control circuitry and lithium energy  
source provide reliable nonvolatility  
coupled with th e unlim ited write  
cycles of standard SRAM.  
power  
The bq4011 uses an extremely low  
s t a n dby cu r r en t CMOS SRAM,  
coupled with a small lithium coin cell  
to provide nonvolatility without long  
write-cycle times and the write-cycle  
limitations associated with EEPROM.  
➤ Automatic write-protection  
during power-up/power-down  
cycles  
➤ Industry-standard 28-pin 32K x  
8 pinout  
Th e con tr ol cir cu it r y con s ta n t ly  
monitors the single 5V supply for an  
ou t -of-t oler a n ce con dit ion . Wh en  
VCC falls out of tolerance, the SRAM  
is unconditionally write-protected to  
prevent inadvertent write operation.  
The bq4011 requires no external cir-  
cuitry and is socket-compatible with  
industry-standard SRAMs and most  
EPROMs and EEPROMs.  
➤ Conventional SRAM operation;  
unlimited write cycles  
➤ 10-year minimum data retention  
in absence of power  
➤ Battery internally isolated until  
power is applied  
Pin Connections  
Pin Names  
Block Diagram  
A0 –A14  
Address inputs  
DQ0–DQ7 Data input/output  
CE  
Chip enable input  
Output enable input  
Write enable input  
+5 volt supply input  
Ground  
OE  
WE  
VCC  
VSS  
Selection Guide  
Maximum  
Access  
Negative  
Supply  
Maximum  
Access  
Negative  
Supply  
Part  
Part  
Number  
Time (ns)  
Tolerance  
Number  
Time (ns)  
Tolerance  
bq4011Y-70  
70  
-10%  
-10%  
-10%  
-10%  
bq4011 -100  
bq4011Y -100  
bq4011Y -150  
bq4011Y -200  
100  
150  
200  
-5%  
-5%  
-5%  
100  
150  
200  
bq4011 -150  
bq4011 -200  
Aug. 1993 C  
1
1234567...11

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