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BLV950

更新时间: 2024-11-06 22:39:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
16页 110K
描述
UHF push-pull power transistor

BLV950 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT
包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4针数:5
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.65其他特性:HIGH RELIABILITY, WITH POLYSILICON EMITTER BALLASTING RESISTORS
外壳连接:EMITTER最大集电极电流 (IC):12 A
集电极-发射极最大电压:30 V配置:COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):30最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F4元件数量:2
端子数量:4最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:340 W最小功率增益 (Gp):7.5 dB
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BLV950 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BLV950  
UHF push-pull power transistor  
1997 Oct 27  
Product specification  
Supersedes data of 1996 Jan 26  

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