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BLVP304

更新时间： 2024-11-25 03:22:15

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BLVP304 数据手册

BLVP304

P沟纵向MOSFET

描述:

P沟增强型VDMOS，高速开关，无二次击穿

产品应用：

ꢀ

电话机电路

继电器电路

驱动电路等

工作条件 (T=25℃)

参数

符号

极限值

-300

+ 20

-170

单位

V_DSS

V_GSS

I_D

漏源电压

栅源电压

漏电流

P_D

Power Dissipation for Dual Operation

Tj, T_SDG结温度和存储温度

-55 to +150

^oC

热特性

R_{th j-a}

Thermal Resistance, Junction to Ambient

125

K/W

电学特性(T_A=25^oC)

符号

参数

测试条件

最小典型最大

单位

BV_DSS

V_GS= 0V

I_D= −10uA

V_DS= −240V V_GS= 0V

V_GS= ±20V

V_DS= V_GS

源漏击穿电压

零栅压时的漏极电流

栅和衬底之间的漏电流

阈值电压

-300

I_DSS

-100

+100

-2.55

I_GSS

V_DS= 0V

V_{GS (th)}

R_{DS (on)}

I_D= −1mA

-1.7

V_GS= −10V ,I_D= −170mA

导通电阻

Ω

http://www.belling.com.cn

- 1 -

8/18/2006

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