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BLW30

更新时间: 2024-09-27 22:27:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体射频双极晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 74K
描述
VHF power transistor

BLW30 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4针数:4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.13外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):6 A基于收集器的最大容量:100 pF
集电极-发射极最大电压:16 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):25最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:O-CRPM-F4元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT极性/信道类型:NPN
最小功率增益 (Gp):10 dB认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:FLAT
端子位置:RADIAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):1600 MHz
Base Number Matches:1

BLW30 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BLW30  
VHF power transistor  
September 1991  
Product specification  

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