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BLV958FL-T

更新时间: 2024-11-21 13:05:59
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 90K
描述
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power

BLV958FL-T 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLATPACK, R-CDFP-F2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.65Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY, WITH EMITTER BALLASTING RESISTORS外壳连接:EMITTER
最大集电极电流 (IC):15 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-CDFP-F2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:145 W
最小功率增益 (Gp):8.5 dB认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BLV958FL-T 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BLV958; BLV958FL  
UHF power transistors  
Product specification  
2000 Jan 12  
Supersedes data of 1997 Oct 15  

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