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BGA777L7

更新时间： 2024-02-01 01:19:16

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BGA777L7 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BCC
包装说明：	HVBCC,	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.7	JESD-30 代码：	R-XBCC-B6
长度：	2 mm	功能数量：	1
端子数量：	6	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-30 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	HVBCC	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	0.5 mm
标称供电电压：	2.8 V	表面贴装：	YES
电信集成电路类型：	RF AND BASEBAND CIRCUIT	温度等级：	OTHER
端子形式：	BUTT	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	1.3 mm	Base Number Matches：	1

BGA777L7 - Low Power Single-Band UMTS LNA

BGA777L7

Revision History: 2009-07-02, V3.0

Previous Version: 2009-02-18, V1.0 preliminary

Page

Subjects (major changes since last revision)

Updated DC characteristics (added limits)

Added supply current and power gain characteristics

Updated RF characteristics for application board BGA7xxL7 and added limits

Added RF characteristics for UMTS bands 38 and 40

Updated footnotes

Updated measured performance for application board BGA7xxL7

Updated application circuit schematic for application board BGA7xxL7

Added application circuit schematic for UMTS bands 38 and 40

Updated application board

10, 11

9-11

12-16

18, 19

20, 21

Data Sheet

V3.0, 2009-07-02

1 234 5 6 7...24

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BGA7H1BN6	INFINEON	BGA7H1BN6 是用于 LTE 的前端低噪声放大器，覆盖 1805 MHz 至 269	获取价格
BGA7H1N6	INFINEON	Infineonâs New LTE Low Noise Amplifiers Alm	获取价格
BGA7H1N6E6327	INFINEON	Material Content Data Sheet	获取价格
BGA7H1N6E6327_15	INFINEON	Material Content Data Sheet	获取价格
BGA7H1N6E6327XTSA1	INFINEON	Infineonâs New LTE Low Noise Amplifiers Alm	获取价格
BGA7L1BN6	INFINEON	BGA7L1BN6 是用于 LTE 的前端低噪声放大器，覆盖 716 Mhz 至 960	获取价格