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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BCC |
| 包装说明： | HVBCC, | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.7 | JESD-30 代码： | R-XBCC-B6 |
| 长度： | 2 mm | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -30 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | HVBCC | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 0.5 mm |
| 标称供电电压： | 2.8 V | 表面贴装： | YES |
| 电信集成电路类型： | RF AND BASEBAND CIRCUIT | 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | BUTT | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 1.3 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BGA7H1BN6 | INFINEON | BGA7H1BN6 是用于 LTE 的前端低噪声放大器，覆盖 1805 MHz 至 269 |
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| BGA7H1N6 | INFINEON | Infineonâs New LTE Low Noise Amplifiers Alm |
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| BGA7H1N6E6327 | INFINEON | Material Content Data Sheet |
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| BGA7H1N6E6327_15 | INFINEON | Material Content Data Sheet |
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| BGA7H1N6E6327XTSA1 | INFINEON | Infineonâs New LTE Low Noise Amplifiers Alm |
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| BGA7L1BN6 | INFINEON | BGA7L1BN6 是用于 LTE 的前端低噪声放大器，覆盖 716 Mhz 至 960 |
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