BFR520

更新时间： 2024-11-12 06:42:03

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	198K
描述
isc Silicon NPN RF Transistor

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BFR520 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.56
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

BFR520 数据手册

INCHANGE Semiconductor

iscRF Product Specification

isc Silicon NPN RF Transistor

BFR520

DESCRIPTION

·High Power Gain

·High Current Gain Bandwidth Product

·Low Noise Figure

APPLICATIONS

·Designed for RF frontend in wideband applications in the

GHz range,such as analog and digital cellular telephones,

cordless.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CES

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

2.5

Collector Current-Continuous

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

0.3

T_J

Junction Temperature

175

℃

Storage Temperature Range

-65~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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