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BFR540

更新时间： 2024-02-11 14:03:26

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
7页	208K
描述
isc Silicon NPN RF Transistor

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BFR540 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
最大集电极电流 (IC)：	0.12 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-609代码：	e3
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)

BFR540 数据手册

INCHANGE Semiconductor

iscRF Product Specification

isc Silicon NPN RF Transistor

BFR540

DESCRIPTION

·High Power Gain

·High Current Gain Bandwidth Product

·Low Noise Figure

APPLICATIONS

·Designed for RF frontend in wideband applications in the

GHz range,such as analog and digital cellular telephones,

cordless telephones(CT1, CT2,DEC, etc.).

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CES

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

2.5

Collector Current-Continuous

120

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

0.5

T_J

Junction Temperature

175

℃

Storage Temperature Range

-65~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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