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BFR54

更新时间: 2024-01-02 09:42:24
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恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
16页 105K
描述
NPN 9 GHz wideband transistor

BFR54 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):0.1 A基于收集器的最大容量:4 pF
集电极-发射极最大电压:15 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):490 MHz
VCEsat-Max:0.25 V

BFR54 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BFR540  
NPN 9 GHz wideband transistor  
Product specification  
1999 Aug 23  
Supersedes data of 1995 September  

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