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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> BF959ZL1
BF959ZL1 PDF预览

BF959ZL1

更新时间： 2024-11-22 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器射频小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 115K
描述
VHF Transistor

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BF959ZL1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CASE 29, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.07
Is Samacsys：N其他特性：EUROPEAN PART NUMBER
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：35
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：700 MHzBase Number Matches：1

BF959ZL1 数据手册

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by BF959/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
COLLECTOR  
1
3
BASE  
2
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
1
2
3
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
20  
30  
Vdc  
CASE 29–04, STYLE 21  
TO–92 (TO–226AA)  
3.0  
100  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watt  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = 1.0 mAdc, I = 0)  
V
V
V
20  
30  
3.0  
—
—
—
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
C
B
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
Collector–Base Breakdown Voltage (I = 10 Adc, I = 0)  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage (I = 10 Adc, I = 0)  
—
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current (V  
CB  
= 20 Vdc, I = 0)  
I
100  
nAdc  
E
CBO  
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
h
FE  
—
(I = 5.0 mAdc, V  
= 10 Vdc)  
= 10 Vdc)  
35  
40  
—
—
—
—
C
CE  
CE  
(I = 20 mAdc, V  
C
Collector–Emitter Saturation Voltage (I = 30 mAdc, I = 2.0 mAdc)  
V
—
—
—
—
1.0  
1.0  
Vdc  
Vdc  
C
B
CE(sat)  
V
BE(sat)  
Base–Emitter Saturation Voltage (I = 30 mAdc, I = 2.0 mAdc)  
C
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS  
Current–Gain — Bandwidth Product  
B
f
T
MHz  
(I = 20 mAdc, V  
(I = 30 mAdc, V  
C
= 10 Vdc, f = 100 MHz)  
= 10 Vdc, f = 100 MHz)  
700  
600  
—
—
—
—
C
CE  
CE  
Common Emitter Feedback Capacitance  
(V = 10 Vdc, P = 0, f = 10 MHz)  
C
—
0.65  
—
pF  
dB  
re  
CB  
f
Noise Figure (I = 4.0 mA, V  
= 10 V, R = 50 Ω, f = 200 MHz)  
N
f
—
3.0  
—
C
CE  
S
Motorola, Inc. 1996  
1234

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BF959ZL1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BF959G ONSEMI

完全替代

 VHF Transistor
BF959RL1 ONSEMI

完全替代

 VHF Transistor
BF959RL1G ONSEMI

完全替代

 VHF Transistor

与BF959ZL1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BF959ZL1G ROCHESTER

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 		VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29, 3 PIN
BF959ZL1G ONSEMI

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 		VHF Transistor
BF960 VISHAY

获取价格

 		N-CHANNEL DUAL GATE MOS-FIELDEFFECT TETRODE.DEPLETION MODE
BF961 VISHAY

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 		N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
BF961 NJSEMI

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