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BF459

更新时间: 2024-11-24 22:39:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率双极晶体管开关高压局域网
页数 文件大小 规格书
8页 46K
描述
NPN high-voltage transistors

BF459 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SIP包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.45
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.1 A
基于收集器的最大容量:4.5 pF集电极-发射极最大电压:300 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):26
JEDEC-95代码:TO-126JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:6 W
最大功率耗散 (Abs):6 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):90 MHzVCEsat-Max:1 V
Base Number Matches:1

BF459 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BF458; BF459  
NPN high-voltage transistors  
1999 Apr 21  
Product specification  
Supersedes data of 1996 Dec 06  

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