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BF485

更新时间: 2024-11-20 22:39:35
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管高压
页数 文件大小 规格书
8页 46K
描述
NPN high-voltage transistors

BF485 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.79
最大集电极电流 (IC):0.1 A基于收集器的最大容量:1.4 pF
集电极-发射极最大电压:300 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.83 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):70 MHzBase Number Matches:1

BF485 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BF483; BF485; BF487  
NPN high-voltage transistors  
1999 Apr 12  
Product specification  
Supersedes data of 1996 Dec 09  

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