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BF488

更新时间: 2024-11-20 22:39:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管高压
页数 文件大小 规格书
8页 46K
描述
PNP high-voltage transistor

BF488 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.78
最大集电极电流 (IC):0.1 A基于收集器的最大容量:4 pF
集电极-发射极最大电压:350 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):70 MHzVCEsat-Max:0.5 V
Base Number Matches:1

BF488 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BF488  
PNP high-voltage transistor  
1999 Apr 27  
Product specification  
Supersedes data of 1996 Dec 09  

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