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BF491

更新时间： 2024-11-21 08:52:19
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 晶体视频放大器晶体管高压局域网
页数 文件大小 规格书
4页 476K
描述
PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH VOLTAGE VIDEO TRANSISTORS High Voltage Video Amplifier

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BF491 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.55
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：200 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-W3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：265
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

BF491 数据手册

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BF491  
THRU  
BF493  
PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL  
HIGH VOLTAGE VIDEO TRANSISTORS  
High Voltage Video Amplifier  
Darlington Transistor  
* Power Dissipation: PD=625mW  
TO-92  
.205(5.20)  
.175(4.45)  
3
2
1
.082(2.082)  
.078(1.982)  
.022(0.55)  
.016(0.41)  
.020(0.50)  
.014(0.35)  
.058(1.40)  
.055(1.40)  
.045(1.14)  
.045(1.14)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
COLLECTOR  
1
.165(4.19)  
.125(3.18)  
3
2
1
BASE  
2
3
EMITTER  
Dimensions in inches and (millimeters)  
=25 OC unless otherwise noted  
Absolute Maximum Ratings  
T
A
SYMBOL  
UNITS  
Volts  
DESCRIPTION  
Collector-Emitter Voltage  
BF491  
200  
BF492  
250  
BF493  
300  
CEO  
V
CBO  
Collector Base Voltage  
Emitter Base Voltage  
V
200  
6
250  
8
300  
8
Volts  
Volts  
EBO  
V
Collector Current Continuous  
IC  
500  
625  
1.2  
mAmps  
mW  
mW/0C  
Total Device Dissipation @ Ta=25ºC  
Derate Above 25ºC  
PD  
1500  
12  
mW  
mW/0C  
Total Device Dissipation @ Tc=25ºC  
Derate Above 25ºC  
PD  
Operating And Storage Junction  
Temperature Range  
0
-55 to + 150  
C
Tj,TSTG  
O
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
DESCRIPTION  
T
A
=25 C unless otherwise noted  
UNITS  
Test Condition  
IC=0.1mA,IE=0  
IC=1mA,IB=0  
SYMBOL  
BF491  
>200  
BF492  
BF493  
Collector-Base Breakdown Voltage  
BVCBO  
>250  
>250  
>300  
>300  
Volts  
Volts  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
BVCEO*  
>200  
IE=100uA,IC=0  
BVEBO  
ICBO  
>6.0  
<0.1  
>8.0  
<0.1  
<0.1  
>8.0  
<0.1  
<0.1  
Volts  
uA  
VCB=160V,IE=0  
VCB=200V,IE=0  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
VEB=4.0V,IC=0  
VEB=6.0V,IC=0  
<0.1  
IEBO  
hFE  
uA  
IC=1mA,VCE=10V  
IC=10mA,VCE=10V  
>25  
>40  
>25  
>40  
>25  
>40  
DC Current Gain  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
IC=20mA,IB=2mA  
IC=20mA,IB=2mA  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
<2  
<2  
<2  
<2  
<2  
<2  
Volts  
Volts  
VD 2009-10  
REV: O  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BF491-18 MOTOROLA

获取价格

 		500mA, 200V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BF491-5 MOTOROLA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BF491K ZETEX

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI
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