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BF469

更新时间: 2024-11-20 22:39:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管高压
页数 文件大小 规格书
8页 67K
描述
NPN high-voltage transistors

BF469 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SIP包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.48
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.05 A
集电极-发射极最大电压:250 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50JEDEC-95代码:TO-126
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):1.8 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):60 MHzBase Number Matches:1

BF469 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BF469; BF471  
NPN high-voltage transistors  
1996 Dec 09  
Product specification  
Supersedes data of September 1994  
File under Discrete Semiconductors, SC04  

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