BF257

更新时间： 2024-10-04 22:39:35

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体视频放大器小信号双极晶体管高压
页数	文件大小	规格书
5页	86K
描述
HIGH VOLTAGE VIDEO AMPLIFIERS

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BF257 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.18	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	160 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	90 MHz
Base Number Matches：	1

BF257 数据手册

BF257

BF258-BF259

HIGH VOLTAGE VIDEO AMPLIFIERS

DESCRIPTION

The BF257, BF258 and BF259 are silicon planar

epitaxial NPN transistors in Jedec TO-39 metal

case.They are particularly designed for videooutput

stages in CTV and MTV sets, class A audio output

stages and drivers for horizontal deflection circuits.

TO-39

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Value

Symbol

Parameter

Unit

BF257 BF258 BF259

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-base Voltage (I_E= 0)

160

250

300

Collector-emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

250

100

I_CM

Collector Peak Current

200

P_{t ot}

T_stg

T_j

Total Power Dissipation at T_amb≤ 50 °C

Storage Temperature

– 55 to 200

200

°C

Junction Temperature

October 1988

1/5

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

BF257 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BD115LEADFREE	CENTRAL	功能相似	Small Signal Bipolar Transistor, 180V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 P
BF257LEADFREE	CENTRAL	功能相似	Small Signal Bipolar Transistor, 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 P

与BF257相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BF257CSM	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1
BF257CSM4	SEME-LAB	获取价格	SILICON PLANAR NPN HIGH
BF257DCSM	SEME-LAB	获取价格	Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed
BF257LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 P
BF258	CENTRAL	获取价格	Small Signal Transistors
BF258	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39
BF258	STMICROELECTRONICS	获取价格	HIGH VOLTAGE VIDEO AMPLIFIERS
BF258	MICRO-ELECTRONICS	获取价格	NPN HIGH VOLTAGE VIDEO AMPLIFIER
BF258	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 250V 0.1A 3-Pin TO-39
BF258DCSM	SEME-LAB	获取价格	Dual Bipolar NPN Devices in a hermetically sealed