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BF257CSM4

更新时间： 2024-10-05 08:52:19

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2页	34K
描述
SILICON PLANAR NPN HIGH

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BF257CSM4 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	LCC
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.17	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	160 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JESD-30 代码：	R-CDSO-N4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	90 MHz	Base Number Matches：	1

BF257CSM4 数据手册

BF257CSM4

SILICON PLANAR NPN HIGH

VOLTAGE TRANSISTOR IN A

CERAMIC SURFACE MOUNT

PACKAGE

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

1.40 0.15

(0.055 0.006)

5.59 0.1ꢀ

(0.22 0.005)

0.25 0.0ꢀ

(0.01 0.001)

0.2ꢀ

(0.009)

rad.

0.2ꢀ

(0.009)

min.

FEATURES

• High Voltage

1.02 0.20

(0.04 0.00ꢁ)

2.0ꢀ 0.20

(0.0ꢁ 0.00ꢁ)

• Ceramic Surface Mount

• Screening Options Available

LCC3

PAD 1 = COLLECTOR PAD ꢀ = EMITTER

PAD 2 = N/C PAD 4 = BASE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Collector - Base Voltage (I = 0 )

160V

CBO

CEO

EBO

Collector - Emitter Voltage (I = 0)

Emitter Base Voltage (I = 0)

Collector Current

Collector Peak Current

Total Power Dissipation at T

Storage Temperature

Junction Temperature

100mA

200mA

50°C

tot

stg

case

-55 to 200°C

200°C

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believed to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in

its use. Semelab encourages customers to verify that datasheets are current before placing orders.

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

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E-mail: sales@semelab.co.uk

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Issue 1

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