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BF259

更新时间: 2024-11-15 20:24:59
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 34K
描述
TRANSISTOR,BJT,NPN,300V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-205AD

BF259 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.62
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.1 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):25
JESD-609代码:e0最高工作温度:175 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):5 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)标称过渡频率 (fT):90 MHz
Base Number Matches:1

BF259 数据手册

  

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