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BDX54C PDF预览

BDX54C

更新时间： 2024-02-07 17:52:48
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 驱动器音频放大器
页数 文件大小 规格书
4页 45K
描述
Hammer Drivers, Audio Amplifiers Applications Power Liner and Switching Applications

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BDX54C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.66最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)：750JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：60 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：20 MHzBase Number Matches：1

BDX54C 数据手册

 浏览型号BDX54C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BDX54C的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BDX54C的Datasheet PDF文件第4页 
BDX54/A/B/C  
Hammer Drivers, Audio Amplifiers Applications  
Power Liner and Switching Applications  
•
•
Power Darlington TR  
Complement to BDX53, BDX53A, BDX53B and BDX53C respectively  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage  
: BDX54  
- 45  
- 60  
- 80  
V
V
V
V
CBO  
: BDX54A  
: BDX54B  
: BDX54C  
- 100  
V
Collector-Emitter Voltage : BDX54  
- 45  
- 60  
- 80  
V
V
V
V
CEO  
: BDX54A  
: BDX54B  
: BDX54C  
- 100  
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
- 5  
- 8  
V
A
EBO  
I
I
I
C
- 12  
A
CP  
B
- 0.2  
60  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
V
(sus)  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: BDX54  
I
= - 100mA, I = 0  
- 45  
- 60  
- 80  
V
V
V
V
C
B
: BDX54A  
: BDX54B  
: BDX54C  
- 100  
I
I
Collector Cut-off Current : BDX54  
V
V
V
V
= - 45V, I = 0  
- 200  
- 200  
- 200  
- 200  
µA  
µA  
µA  
µA  
CBO  
CEO  
EBO  
CB  
CB  
CB  
CB  
E
: BDX54A  
: BDX54B  
: BDX54C  
= - 60V, I = 0  
E
= - 80V, I = 0  
E
= - 100V, I = 0  
E
Collector Cut-off Current : BDX54  
V
V
V
V
= - 22V, I = 0  
- 500  
- 500  
- 500  
- 500  
µA  
µA  
µA  
µA  
CE  
CE  
CE  
CE  
B
: BDX54A  
: BDX54B  
: BDX54C  
= - 30V, I = 0  
B
= - 40V, I = 0  
B
= - 50V, I = 0  
B
I
Emitter Cut-off Current  
V
V
= - 5V, I = 0  
- 2  
mA  
EB  
CE  
C
h
* DC Current Gain  
= - 3V, I = - 3A  
750  
FE  
C
V
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
* Parallel Diode Forward Voltage  
I
I
= - 3A, I = - 12mA  
- 2  
- 2.5  
- 2.5  
V
V
CE  
BE  
F
C
C
B
(sat)  
= - 3A, I = - 12mA  
B
I = - 3A  
I = - 8A  
- 1.8  
- 2.5  
V
V
F
F
* Pulse Test: PW=300µs, duty Cycle =1.5% Pulsed  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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BDX54C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BDX54C STMICROELECTRONICS

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与BDX54C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BDX54C16 MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
BDX54C16A MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
BDX54CA MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
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 		8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BDX54CAK ONSEMI

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 		8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
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BDX54CBA ONSEMI

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 		TRANSISTOR 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pu

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