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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BDX34C
BDX34C PDF预览

BDX34C

更新时间： 2024-02-24 21:06:50
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 38K
描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

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BDX34C 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.37
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：10 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：750
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BDX34C 数据手册

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BDX33B BDX33C  
BDX34B BDX34C  
COMPLEMENTARY SILICON POWER  
DARLINGTON TRANSISTORS  
DESCRIPTION  
The BDX33B and BDX33C are silicon  
Epitaxial-Base NPN power transistors in  
monolithic Darlington configuration mounted in  
Jedec TO-220 plastic package. They are intented  
for use in power linear and switching applications.  
The complementary PNP types are BDX34B and  
BDX34C respectively.  
3
2
1
TO-220  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
R1 Typ. = 10 KΩ  
R2 Typ. = 150 Ω  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Unit  
NPN  
PNP  
BDX33B  
BDX34B  
80  
BDX33C  
BDX34C  
100  
VCBO  
VCEO  
IC  
Collector-Base Voltage (IE = 0)  
Collector-Emitter Voltage (IB = 0)  
Collector Current  
V
V
80  
100  
10  
A
ICM  
IB  
Collector Peak Current  
Base Current  
15  
0.25  
A
A
o
Ptot  
Tstg  
Tj  
70  
W
oC  
oC  
Total Dissipation at Tc ≤ 25 C  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
For PNP types voltage and current values are negative.  
1/4  
October 1999  
1234

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BDX34C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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